巨磁电阻效应（GMR）是一种磁电效应，指的是在特定材料中，当外加磁场作用下，电阻发生明显变化的现象。这种现象首次被发现于1988年，是由阿尔伯特·福特和彼得·格鲁尼斯提出的。巨磁电阻效应在磁存储器、传感器和磁电阻读头等领域得到广泛应用。
巨磁电阻效应的物理机制是由于材料中的磁性层与非磁性层之间的自旋极化和散射效应。当磁场作用下，自旋的方向发生改变，影响了电子的自旋运动和散射过程，从而改变了电子的传输行为，导致电阻发生变化。
巨磁电阻效应的应用非常广泛。在磁存储器中，巨磁电阻效应被用于读取磁记录信息，可以实现更高的存储密度和读写速度。在传感器领域，巨磁电阻效应被用于测量磁场、角度和位移等物理量，具有高灵敏度和低功耗的特点。